HUAYI HY1603C2 دیتاشیت

HY1603C2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1603C2
حجم فایل 60.378 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت HY1603C2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Number: 1 N-channel
  • Package: PPAK-8L(5x6)
  • RDS(on): 6.5mΩ@4.5V
  • Category: Discrete Semiconductors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
  • Manufacturer: HUAYI
  • Gate Charge(Qg): 52nC@10V
  • Pd - Power Dissipation: 35.7W
  • Drain to Source Voltage: 30V
  • Input Capacitance(Ciss): 2.312nF
  • Operating Temperature -: -55°C~+150°C
  • Current - Continuous Drain(Id): 88A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 158pF

محصولات مشابه